比較成熟的非線性材料有半導(dǎo)體可飽和吸收鏡和碳納米管可飽和吸收體。但是制作半導(dǎo)體可飽和吸收鏡需要相對(duì)復(fù)雜和昂貴的超凈制造系統(tǒng)，這類器件的典型恢復(fù)時(shí)間約為幾個(gè)納秒，且半導(dǎo)體可飽和吸收鏡的光損傷閥值很低，常用的半導(dǎo)體飽和吸收鏡吸收帶寬較窄。碳納米管是一種直接帶隙材料，帶隙大小由碳納米管直徑和屬性決定。不同直徑碳納米管的混合可實(shí)現(xiàn)寬的非線性吸收帶，覆蓋常用的1.0～1.6um激光増益發(fā)射波段。但是由于碳納米管的管狀形態(tài)會(huì)產(chǎn)生很大的散射損耗，提高了鎖模閥值，限制了激光輸出功率和效率，所以，研究人員一直在尋找一種具有高光損傷閩值、超快恢復(fù)時(shí)間、寬帶寬和價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)的飽和吸收材料。石墨烯微片的缺陷有時(shí)使其無法滿足某些復(fù)合材料在抗靜電或?qū)щ?、隔熱或?qū)岬确矫娴奶厥庖?。單層氧化石墨使用方?/p>

氧化石墨烯（GO）是一種兩親性材料，在生理?xiàng)l件中一般帶有負(fù)電荷，通過對(duì)GO的修飾可以改變電荷的大小，甚至使其帶上正電荷，如利用聚合物或樹枝狀大分子等聚陽離子試劑。在細(xì)胞中，GO可能會(huì)與疏水性的、帶正電荷或帶負(fù)電荷的物質(zhì)進(jìn)行相互作用，如細(xì)胞膜、蛋白質(zhì)和核酸等，因此會(huì)誘導(dǎo)GO產(chǎn)生毒性。因此在本節(jié)中，我們主要探討GO在細(xì)胞（即體外）和體內(nèi)試驗(yàn)中產(chǎn)生已知的毒性效應(yīng)，以及產(chǎn)生毒性的可能原因。石墨烯材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要由三個(gè)參數(shù)決定：(a)層數(shù)、(b)橫向尺寸和(c)化學(xué)組成即碳氧比例）。無污染氧化石墨粉體碳基填料可以提高聚合物的熱導(dǎo)率，但無法像提高導(dǎo)電性那么明顯，甚至低于有效介質(zhì)理論。

當(dāng)前社會(huì)的快速發(fā)展造成了嚴(yán)重的重金屬離子污染，重金屬離子毒性大、分布廣、難降解，一旦進(jìn)入生態(tài)環(huán)境，嚴(yán)重威脅人類的生命健康。目前，含重金屬離子廢水的處理方法主要有化學(xué)沉淀法、膜分離法、離子交換法、吸附法等等。而使用納米材料吸附重金屬離子成為當(dāng)前科研人員的研究熱點(diǎn)。相對(duì)活性炭、碳納米管等碳基吸附材料，氧化石墨烯的比表面積更大，表面官能團(tuán)（如羧基、環(huán)氧基、羥基等）更為豐富，具有很好的親水性，可以與金屬離子作用富集分離水相中的金屬離子；同時(shí)，氧化石墨烯片層可交聯(lián)極性小分子或聚合物制備出氧化石墨烯納米復(fù)合材料，吸附特性更加優(yōu)異。

在推動(dòng)以氧化石墨烯為載體的新藥進(jìn)入臨床試驗(yàn)前，勢(shì)必會(huì)面臨諸多挑戰(zhàn)：（1）優(yōu)化氧化石墨烯的制備方法及生產(chǎn)工藝，使其具有可重復(fù)性，并能精確控制氧化石墨烯的尺寸和質(zhì)量；（2）比較好使用劑量的摸索，找到以氧化石墨烯為載體的***療效和毒性之間的平衡點(diǎn)；（3）其他表面修飾劑的開發(fā)，需具有良好生物相容性且修飾后的氧化石墨烯能在短時(shí)間內(nèi)被生物體***；（4）毒理學(xué)方法的進(jìn)一步規(guī)范，系統(tǒng)闡明以氧化石墨烯為載體***的潛在毒性；（5）體內(nèi)外模型的建立，***評(píng)價(jià)氧化石墨烯***的生物相容性，使其能更好地轉(zhuǎn)化到臨床。此外，以氧化石墨烯為載體的***在大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)和應(yīng)用時(shí)，還需考慮到對(duì)人體和環(huán)境的不利影響，是否可能導(dǎo)致潛在的人體暴露和環(huán)境污染問題，這些有待于進(jìn)一步研究。氧化石墨烯是有著非凡價(jià)值的新材料，將會(huì)在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮舉足輕重的作用。氧化石墨是由牛津大學(xué)的化學(xué)家本杰明·C·布羅迪在1859年用氯酸鉀和濃硝酸混合溶液處理石墨的方法制得。

還原氧化石墨烯（RGO）在邊緣處和面內(nèi)缺陷處具有豐富的分子結(jié)合位點(diǎn)，使其成為一種很有希望的電化學(xué)傳感器材料。結(jié)合原位還原技術(shù)，有很多研究使用諸如噴涂、旋涂等基于溶液的技術(shù)手段，利用氧化石墨烯（GO）在不同基底上制造出具備石墨烯相關(guān)性質(zhì)的器件，以期在一些場(chǎng)合替代CVD制備的石墨烯。結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。氧化石墨烯（GO）的能級(jí)結(jié)構(gòu)由sp3雜化和sp2雜化的相對(duì)比例決定[6]，調(diào)節(jié)含氧基團(tuán)相對(duì)含量可以實(shí)現(xiàn)氧化石墨烯（GO）從絕緣體到半導(dǎo)體再到半金屬性質(zhì)的轉(zhuǎn)換減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞，從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。雞西制備氧化石墨

氧化石墨仍然保留石墨母體的片狀結(jié)構(gòu)，但是兩層間的間距(約0.7nm)大約是石墨中層間距的兩倍。單層氧化石墨使用方法

RGO制備簡(jiǎn)單、自身具有受還原程度調(diào)控的帶隙，可以實(shí)現(xiàn)超寬譜（從可見至太赫茲波段）探測(cè)。氧化石墨烯的還原程度對(duì)探測(cè)性能有***影響，隨著氧化石墨烯還原程度的提高，探測(cè)器的響應(yīng)率可以提高若干倍以上。因此，在CVD石墨烯方案的基礎(chǔ)上，研究者開始嘗試使用還原氧化石墨烯制備類似結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器。對(duì)于RGO-Si器件，帶間光子躍遷以及界面處的表面電荷積累，是影響光響應(yīng)的重要因素[72]。2014年，Cao等[73]將氧化石墨烯分散液滴涂在硅線陣列上，而后通過熱處理對(duì)氧化石墨烯進(jìn)行熱還原，制得了硅納米線陣列(SiNW)-RGO異質(zhì)結(jié)的室溫超寬譜光探測(cè)器。該探測(cè)器在室溫下，***實(shí)現(xiàn)了從可見光(532nm)到太赫茲波(2.52THz，118.8mm)的超寬譜光探測(cè)。在所有波段中，探測(cè)器對(duì)10.6mm的長(zhǎng)波紅外具有比較高的光響應(yīng)率可達(dá)9mA/W。單層氧化石墨使用方法