對(duì)具有高光束質(zhì)量輸出的晶體波導(dǎo)激光器的芯徑增大方法進(jìn)行了理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。通過模擬計(jì)算各個(gè)導(dǎo)模的相對(duì)增益,在考慮模式競(jìng)爭(zhēng)的情況下,采用Yb原子數(shù)分?jǐn)?shù)為1.0% 的YbYAG作為芯層材料,Er原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.5%的ErYAG作為內(nèi)包層材料,芯層的基模截止厚度可以達(dá)到360μm,相當(dāng)于傳統(tǒng)計(jì)算方法的兩倍。采用擴(kuò)散鍵合技術(shù),制備了芯層尺寸為400μm×320μm×77 mm的晶體波導(dǎo),并搭建了波導(dǎo)激光器,得到了較大輸出功率為31 W,光-光轉(zhuǎn)換效率為55.3%,光束質(zhì)量為1.2×1.05的近衍射極限激光輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了利用模式競(jìng)爭(zhēng)計(jì)算晶體波導(dǎo)基模芯徑的可靠性。研究出了光學(xué)性能優(yōu)良、具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的YbYAG/YAG多晶微片激光晶體的先進(jìn)制備技術(shù)。山西品質(zhì)YbYAG晶體供應(yīng)
不同摻雜濃度的YbYAG晶體,通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜,衰減時(shí)間,光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測(cè)量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3,摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度,光輸出隨Yb,摻雜濃度升高而降低,淬滅溫度則隨摻雜濃度的升高而升高。室溫下YbYAG晶體的發(fā)光衰減時(shí)間較短,均小于SOnsoY63摻雜濃度為5at﹪的YbYAG晶體具有較高的光輸出和較低的淬滅溫度。采用提拉法生長(zhǎng)了原子分?jǐn)?shù)為10%的Yb和不同摻雜濃度Cr的Cr,Yb:YAG激光晶體.測(cè)試了室溫下晶體的吸收光譜,熒光光譜和熒光壽命。云南國(guó)產(chǎn)YbYAG晶體生產(chǎn)廠家YbYAG晶體可發(fā)射1030 nm近紅外激光。
關(guān)于YbYAG晶體的一些相關(guān)的介紹在這里了,感興趣的可以來看看,提拉法生長(zhǎng)直徑8 inch YbYAG激光晶體,設(shè)計(jì)制造了適于生長(zhǎng)直徑8 inch YbYAG激光晶體的生長(zhǎng)系統(tǒng)和熱場(chǎng),采用感應(yīng)加熱提拉法成功生長(zhǎng)出了直徑8英寸YbYAG激光晶體,晶體等徑部分較小直徑202 mm,等徑長(zhǎng)超過215 mm,總重63.7 kg,晶體外形完整,內(nèi)部無氣泡,包裹物,開裂等宏觀缺陷,5 mW綠光激光照射下,未見散射顆粒。Yb:YAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石在高功率半導(dǎo)體泵浦激光器領(lǐng)域,被人們認(rèn)為是取代Nd:YAG 晶體的選擇。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>
大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)的設(shè)計(jì),采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用.在考慮模式競(jìng)爭(zhēng)的情況下,對(duì)晶體波導(dǎo)的單橫模條件進(jìn)行計(jì)算,得出在芯層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為 1%的YbYAG,內(nèi)包層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.5%的ErYAG中,芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍.計(jì)算結(jié)果表明芯層厚度上限可以增大為傳統(tǒng)計(jì)算結(jié)果的1.79倍,為同時(shí)實(shí)現(xiàn)大模場(chǎng)面積和單橫模輸出提供了理論支持。通過實(shí)驗(yàn)制備出芯層尺寸為320 μm×400 μm的大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo),并將該晶體波導(dǎo)作為增益介質(zhì)搭建了晶體波導(dǎo)激光器,得到了1030 nm激光輸出,其較高輸出功率為26 W,斜率效率為31.5%,此時(shí)光束質(zhì)量因子為 Mx2=1.22, My2=1.05。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明該晶體波導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)近衍射極限輸出,引入模式競(jìng)爭(zhēng)來實(shí)現(xiàn)大芯層尺寸晶體波導(dǎo)單橫模輸出的設(shè)計(jì)方法可靠。YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦。
一種YbYAG激光晶體的生長(zhǎng)方法,所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐,其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻,置于銥坩堝中,裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長(zhǎng)晶體。晶體生長(zhǎng)完畢緩慢降溫至室溫,出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP,充入純氮?dú)?,?.12MP壓力后開始升溫,至1500℃時(shí)觀察爐內(nèi)的壓力,根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1~5%的氧氣,然后再升溫熔料。這里的關(guān)鍵是采用兩步充氣的方法,是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會(huì)與氧氣起強(qiáng)烈的反應(yīng),而超過這一溫度反應(yīng)則會(huì)在一定程度上。這樣充氣過程生長(zhǎng)的晶體出爐后無色。YbYAG晶體可輸出0.94 μm激光。山西品質(zhì)YbYAG晶體供應(yīng)
YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片激光晶體是薄片激光器領(lǐng)域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。山西品質(zhì)YbYAG晶體供應(yīng)
汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G、消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力,帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來看,電子元器件市場(chǎng)的發(fā)展前景極為可觀。為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)新型Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG的技術(shù)進(jìn)步與應(yīng)用水平提高,在 5G 商用爆發(fā)前夕,2019 中國(guó) 5G Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG重點(diǎn)展示關(guān)鍵元器件及設(shè)備,旨在助力Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG行業(yè)把握發(fā)展機(jī)遇,實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。隨著我們過經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,脫貧致富,實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責(zé)任公司(自然)企業(yè)的發(fā)展,特別是近幾年,我國(guó)的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國(guó)采購在出售。電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個(gè)方面,既包括電力、機(jī)械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè),也涵蓋航天、激光、通信、機(jī)器人、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。據(jù)統(tǒng)計(jì),目前,我國(guó)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已占電子信息行業(yè)的五分之一,是我國(guó)電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。山西品質(zhì)YbYAG晶體供應(yīng)
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