閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測(cè)，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測(cè)和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無(wú)損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒聽過這個(gè)詞，但其實(shí)，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料，是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料，可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)，通常在應(yīng)用中將其加工成晶體，稱為閃爍晶體。以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。廣西進(jìn)口CeYAG晶體直供

激子和類激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無(wú)機(jī)閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機(jī)制的無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機(jī)制的閃爍晶體只能用于特殊目的。江西白光LED用CeYAG晶體供應(yīng)商CeYAG閃爍晶體可以應(yīng)用于極端的探測(cè)環(huán)境中。

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國(guó)際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國(guó)際會(huì)議“水晶2000”于1992年在法國(guó)夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國(guó)，荷蘭，中國(guó)和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會(huì)[39]。這些研討會(huì)極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體材料。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。CeYAG晶體是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體。

一般來(lái)說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。陜西生長(zhǎng)CeYAG晶體

如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。廣西進(jìn)口CeYAG晶體直供

CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機(jī)械性能，發(fā)光峰值波長(zhǎng)（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長(zhǎng)很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測(cè)α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測(cè)器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線計(jì)數(shù)、電子和X射線成像屏等領(lǐng)域。廣西進(jìn)口CeYAG晶體直供

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