降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原因：不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻至少為 總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOSFET的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的MOSFET的導(dǎo)通電阻將幾乎被外 延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOSFET結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點。MOSFET的使用應(yīng)該注意什么事項？張家港P-CHANNELMOSFET開關(guān)管

過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了 的集成電路制程，這個參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術(shù)來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數(shù)字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能 提升，而從歷史的角度來看，這些技術(shù)上的突破和半導(dǎo)體制程的進步有著密不可分的關(guān)系。杭州高壓MOSFET封裝越小的MOSFET象征其通道長度減少。

MOSFET的尺寸縮小后出現(xiàn)的困難把MOSFET的尺寸縮小到一微米以下對于半導(dǎo)體制程而言是個挑戰(zhàn)，不過新挑戰(zhàn)多半來自尺寸越來越小的MOSFET元件所帶來過去不曾出現(xiàn)的物理效應(yīng)。次臨限傳導(dǎo)由于MOSFET柵極氧化層的厚度也不斷減少，所以柵極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成柵極氧化層崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，MOSFET的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了MOSFET越來越難以完全關(guān)閉。也就是說，足以造成MOSFET通道區(qū)發(fā)生弱反轉(zhuǎn)的柵極電壓會比從前更低，于是所謂的次臨限電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴重，特別是 的集成電路芯片所含有的晶體管數(shù)量劇增，在某些VLSI的芯片，次臨限傳導(dǎo)造成的功率消耗竟然占了總功率消耗的一半以上。

功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。功率MOSFET導(dǎo)通時只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大幅提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。MOSFET分為結(jié)型和絕緣柵型。

MOSFET主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM—耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM 。MOSFET結(jié)構(gòu)：為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓特性等有不同的結(jié)構(gòu)及工藝。杭州高壓MOSFET價格

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性。張家港P-CHANNELMOSFET開關(guān)管

MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。張家港P-CHANNELMOSFET開關(guān)管

上海光宇睿芯微電子有限公司擁有上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過電壓保護器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設(shè)計與銷售的****，是國內(nèi)掌握半導(dǎo)體過壓保護器件和集成電路設(shè)計的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護、手機接口保護、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護、電源系統(tǒng)的過壓保護、鋰電池的BMS和電機驅(qū)動。 等多項業(yè)務(wù)，主營業(yè)務(wù)涵蓋MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強企業(yè)重點競爭力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評。公司深耕MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。