金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。當(dāng)一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導(dǎo)體的電荷分布也會跟著改變。考慮一個P型的半導(dǎo)體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當(dāng)一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端（如圖）時，空穴的濃度會減少，電子的濃度會增加。當(dāng)VGB夠強(qiáng)時，接近柵極端的電子濃度會超過空穴。這個在P型半導(dǎo)體中，電子濃度（帶負(fù)電荷）超過空穴（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）。MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個提供多數(shù)載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數(shù)載流子的漏極。MOSFET的臨界電壓是由柵極與通道材料的功函數(shù)之間的差異來決定的 。無錫高壓N管MOSFET設(shè)計

MOSFET主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM—耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM 。無錫低壓MOSFET廠家MOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。

MOSFET在導(dǎo)通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關(guān)（信號的能量不會因為開關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關(guān)時，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對NMOS開關(guān)而言，電壓較負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓較正的一端是源極。MOSFET開關(guān)能傳輸?shù)男盘枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導(dǎo)致MOSFET燒毀。

各種常見的MOSFET技術(shù)：雙柵極MOSFET：雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制。耗盡型MOSFET，一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比增強(qiáng)型（enhancement mode）MOSFET少見。耗盡型MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關(guān)閉通道，則必須在柵極施加負(fù)電壓。耗盡型MOSFET較大的應(yīng)用是在“常閉型”（normally-off）的開關(guān)，而相對的，加強(qiáng)式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關(guān)上。MOSFET主要參數(shù)：飽和漏源電流、夾斷電壓、開啟電壓。

雙重MOSFET（CMOS）開關(guān)：為了改善單一MOSFET開關(guān)造成信號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關(guān)成為普遍的做法。CMOS開關(guān)將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。當(dāng)輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導(dǎo)通，而輸入小于（VSS+Vthp）時，只有NMOS導(dǎo)通，輸入大于（VDD-Vthn）時只有PMOS導(dǎo)通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導(dǎo)通，如果任一邊的導(dǎo)通電阻上升，則另一邊的導(dǎo)通電阻就會下降，所以開關(guān)的電阻幾乎可以保持定值，減少信號失真。MOSFET里的氧化層位于其通道上方。上海高壓P管MOSFET設(shè)計

MOSFET另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型。無錫高壓N管MOSFET設(shè)計

隨半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本單獨的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也明顯的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。無錫高壓N管MOSFET設(shè)計

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