DMOSDMOS是雙重?cái)U(kuò)散MOSFET（double-DiffusedMOSFET）的縮寫(xiě)，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。以MOSFET實(shí)現(xiàn)模擬開(kāi)關(guān)MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的通道電阻低，而截止時(shí)的電阻近乎無(wú)限大，所以適合作為模擬信號(hào)的開(kāi)關(guān)（信號(hào)的能量不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開(kāi)關(guān)時(shí)，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因?yàn)樾盘?hào)可以從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對(duì)NMOS開(kāi)關(guān)而言，電壓 負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開(kāi)關(guān)能傳輸?shù)男盘?hào)會(huì)受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過(guò)了電壓的上限可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET燒毀。箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS；廈門(mén)高壓MOSFET型號(hào)

MOSFET：隨半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本特立的類(lèi)比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類(lèi)比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來(lái)的困難度也明顯的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類(lèi)比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。南通高壓MOSFET晶體管若箭頭從基極指向通道，則表示基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)NMOS。

上海光宇睿芯微電子有限公司MOSFET日本命名法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第五部分：用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。如2SK134為N溝道MOSFET，2SJ49為P溝道MOSFET。

MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的通道電阻低，而截止時(shí)的電阻近乎無(wú)限大，所以適合作為模擬信號(hào)的開(kāi)關(guān)（信號(hào)的能量不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開(kāi)關(guān)時(shí)，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因?yàn)樾盘?hào)可以從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對(duì)NMOS開(kāi)關(guān)而言，電壓 負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開(kāi)關(guān)能傳輸?shù)男盘?hào)會(huì)受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過(guò)了電壓的上限可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET燒毀。MOSFET開(kāi)關(guān)的應(yīng)用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設(shè)計(jì)，例如類(lèi)比數(shù)位轉(zhuǎn)換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見(jiàn)到MOSFET開(kāi)關(guān)的蹤影。采用MOSFET實(shí)現(xiàn)模擬電路不但可以滿(mǎn)足規(guī)格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產(chǎn)成本。

過(guò)去數(shù)十年來(lái)，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長(zhǎng)度約在幾個(gè)微米（micrometer）的等級(jí)。但是到了現(xiàn)在的集成電路制程，這個(gè)參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過(guò)一百倍。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能大幅提升，而從歷史的角度來(lái)看，這些技術(shù)上的突破和半導(dǎo)體制程的進(jìn)步有著密不可分的關(guān)系。我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。越小的MOSFET象征其通道長(zhǎng)度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過(guò)。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個(gè)問(wèn)題就可以解決。MOSFET另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類(lèi)型。太倉(cāng)低壓MOSFET晶體管

MOSFET應(yīng)該到哪里進(jìn)行購(gòu)買(mǎi)？廈門(mén)高壓MOSFET型號(hào)

MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的通道電阻低，而截止時(shí)的電阻近乎無(wú)限大，所以適合作為模擬信號(hào)的開(kāi)關(guān)（信號(hào)的能量不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開(kāi)關(guān)時(shí)，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因?yàn)樾盘?hào)可以從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對(duì)NMOS開(kāi)關(guān)而言，電壓較負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓較正的一端是源極。MOSFET開(kāi)關(guān)能傳輸?shù)男盘?hào)會(huì)受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過(guò)了電壓的上限可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET燒毀。廈門(mén)高壓MOSFET型號(hào)

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