MOSFET的相關(guān)知識(shí)介紹：Power MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C）、發(fā)射極（E）和柵極(G）。特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極較大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。MOSFET的特點(diǎn)有哪些？廈門(mén)低壓P管MOSFET開(kāi)關(guān)管

硅—二氧化硅接面經(jīng)過(guò)多年的研究，已經(jīng)證實(shí)這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對(duì)而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。⒊ 多晶硅的融點(diǎn)比大多數(shù)的金屬高，而在現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程中習(xí)慣在高溫下沉積柵極材料以增進(jìn)元件效能。金屬的融點(diǎn)低，將會(huì)影響制程所能使用的溫度上限。不過(guò)多晶硅雖然在過(guò)去二十年是制造MOSFET柵極的標(biāo)準(zhǔn)，但也有若干缺點(diǎn)使得未來(lái)仍然有部份MOSFET可能使用金屬柵極，這些缺點(diǎn)如下：⒈ 多晶硅導(dǎo)電性不如金屬，限制了信號(hào)傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導(dǎo)電性，但成效仍然有限。有些融點(diǎn)比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來(lái)和多晶硅制成合金。這類(lèi)混合材料通常稱(chēng)為金屬硅化物（silicide）。加上了金屬硅化物的多晶硅柵極有著比較好的導(dǎo)電特性，而且又能夠耐受高溫制程。此外因?yàn)榻饘俟杌锏奈恢檬窃跂艠O表面，離通道區(qū)較遠(yuǎn)，所以也不會(huì)對(duì)MOSFET的臨界電壓造成太大影響。太倉(cāng)N-CHANNELMOSFET價(jià)格MOSFET箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端。

雙柵極MOSFET雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個(gè)柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個(gè)柵極大多數(shù)用來(lái)做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制。耗盡型MOSFET一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比前述的增強(qiáng)型（enhancement mode）MOSFET少見(jiàn)。耗盡型MOSFET在制造過(guò)程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒(méi)有加電壓，通道仍然存在。如果想要關(guān)閉通道，則必須在柵極施加負(fù)電壓。耗盡型MOSFET 的應(yīng)用是在“常閉型”（normally-off）的開(kāi)關(guān)，而相對(duì)的，加強(qiáng)式MOSFET則用在“常開(kāi)型”（normally-on）的開(kāi)關(guān)上。

NMOS邏輯同樣驅(qū)動(dòng)能力的NMOS通常比PMOS所占用的面積小，因此如果只在邏輯門(mén)的設(shè)計(jì)上使用NMOS的話(huà)也能縮小芯片面積。不過(guò)NMOS邏輯雖然占的面積小，卻無(wú)法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態(tài)功率，因此在1980年代中期后已經(jīng)漸漸退出市場(chǎng)。功率MOSFET功率晶體管單元的截面圖。通常一個(gè)市售的功率晶體管都包含了數(shù)千個(gè)這樣的單元。主條目：功率晶體管功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著 的差異。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點(diǎn)都離芯片表面只有幾個(gè)微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結(jié)構(gòu)，讓元件可以同時(shí)承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個(gè)功率MOSFET能耐受的電壓是雜質(zhì)摻雜濃度與N型磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數(shù)，而能通過(guò)的電流則和元件的通道寬度有關(guān)，通道越寬則能容納越多電流。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”。

柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來(lái)越薄，主流的半導(dǎo)體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度 有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個(gè)原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學(xué)所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應(yīng)（tunneling effect）。因?yàn)榇┧硇?yīng)，有些電子有機(jī)會(huì)越過(guò)氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產(chǎn)生漏電流，這也是 集成電路芯片功耗的來(lái)源之一。為了解決這個(gè)問(wèn)題，有一些介電常數(shù)比二氧化硅更高的物質(zhì)被用在柵極氧化層中。例如鉿（Hafnium）和鋯（Zirconium）的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電常數(shù)的物質(zhì)均能有效降低柵極漏電流。柵極氧化層的介電常數(shù)增加后，柵極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的柵極氧化層又可以降低電子透過(guò)穿隧效應(yīng)穿過(guò)氧化層的機(jī)率，進(jìn)而降低漏電流。不過(guò)利用新材料制作的柵極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因?yàn)檫@些新材料的傳導(dǎo)帶（conduction band）和價(jià)帶（valence band）和半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶與價(jià)帶的差距比二氧化硅?。ǘ趸璧膫鲗?dǎo)帶和硅之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導(dǎo)致柵極漏電流出現(xiàn)。越小的MOSFET象征其通道長(zhǎng)度減少。無(wú)錫高壓N管MOSFET封裝

MOSFET的注意事項(xiàng)有哪些？廈門(mén)低壓P管MOSFET開(kāi)關(guān)管

常用于MOSFET的電路符號(hào)有很多種變化，較常見(jiàn)的設(shè)計(jì)是以一條直線(xiàn)表明通道，兩條和通道垂直的線(xiàn)表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線(xiàn)表明柵極，如下圖所示。有時(shí)也會(huì)將表明通道的直線(xiàn)以破折線(xiàn)代替，以區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類(lèi)型。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號(hào)中，從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS（表明此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則表明基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。廈門(mén)低壓P管MOSFET開(kāi)關(guān)管

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