MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導體電容金屬—氧化層—半導體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。MOSFET的重點參數(shù)有：金屬—氧化層—半導體電容。廈門DUAL N-CHANNELMOSFET封裝

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，沒有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高，驅(qū)動功率小，電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大，輸入電容CISS、輸出電容COSS和反饋電容CRSS與極間電容的關(guān)系可表述為：功率MOSFET的柵極輸入端相當于一個容性網(wǎng)絡(luò)，它的工作速度與驅(qū)動源內(nèi)阻抗有關(guān)。由于 CISS的存在，靜態(tài)時柵極驅(qū)動電流幾乎為零，但在開通和關(guān)斷動態(tài)過程中，仍需要一定的驅(qū)動電流。假定開關(guān)管飽和導通需要的柵極電壓值為VGS，開關(guān)管的開通時間TON包括開通延遲時間TD和上升時間TR兩部分。開關(guān)管關(guān)斷過程中，CISS通過ROFF放電，COSS由RL充電，COSS較大，VDS（T）上升較慢，隨著VDS(T)上升較慢，隨著VDS（T）的升高COSS迅速減小至接近于零時，VDS（T）再迅速上升。太倉N-CHANNELMOSFET價格電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。

DMOSDMOS是雙重擴散MOSFET（double-DiffusedMOSFET）的縮寫，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。以MOSFET實現(xiàn)模擬開關(guān)MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關(guān)（信號的能量不會因為開關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關(guān)時，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關(guān)而言，電壓 負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開關(guān)能傳輸?shù)男盘枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。

過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了 的集成電路制程，這個參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術(shù)來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數(shù)字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能 提升，而從歷史的角度來看，這些技術(shù)上的突破和半導體制程的進步有著密不可分的關(guān)系。MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。

如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴重后果。這需要通過一個控制器來調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)，從而阻止可能通過的電流。箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS；太倉DUAL N-CHANNELMOSFET封裝

越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。廈門DUAL N-CHANNELMOSFET封裝

功率MOSFET參數(shù)介紹：EAS-單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉(zhuǎn)換為測量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)生時，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。廈門DUAL N-CHANNELMOSFET封裝

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