ESD保護器件應該如何選型？ESD保護器件選型步驟：1.計算接口信號幅值的范圍來確定ESD器件的工作電壓；2.根據(jù)信號類型決定使用單向或者雙向ESD器件;3.根據(jù)信號速率決定該接口能承受的至大寄生電容；4.根據(jù)電路系統(tǒng)的至大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5.確保ESD器件可達到或超過IEC 61000-4-2 level4。ESD應該接信號地，和芯片的0電位保持一致，不會發(fā)生誤動作。解決ESD問題的方法，增加ESD保護器件能很好地保護手機免受ESD的影響。不同終端產(chǎn)品可選擇不同的封裝ESD器件；大型ESD保護器件現(xiàn)貨供應

ESD保護器件的作用有哪些？ESD保護器件的作用：ESD保護器件在出廠時都需要通過測試，其測試規(guī)范包含在標準IEC61000-4-2之中。在測試時會在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個ESD電壓，來評估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD保護器件和對策組件的主要功能是使進入器件的ESD能夠逃逸到地面，如果沒有保護裝置，則具有幾千伏電壓的ESD將直接應用于內(nèi)部IC，這將對芯片帶來嚴重的影響。安徽ESD保護器件供應商當外部接口電壓超過ESD保護器件的擊穿電壓（VBR）,ESD保護器件開始起作用，并將電流分流到地。

芯片級保護器件：正向?qū)ǘO管具有很強的泄放能力，是重要的保護器件，在射頻、數(shù)字端口保護中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結擊穿后，整體器件進入電導調(diào)制的滯回狀態(tài)，形成S形滯回曲線，泄放電流。SCR是重要的ESD保護器件，通過PNPN結構形成反饋環(huán)路，這是典型的特性曲線，具有Vt1高，VH低，開啟速度慢的特點。注意對于SCR來說，反向特性雖然也是一個二極管，但是串聯(lián)了Rpsub和RNW，會影響導通電阻，直接影響鉗位特性和導通電阻，所以通常并聯(lián)一個Dp。

ESD 保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN 結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD 保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，表示著當前TVS 的技術水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護器件的應用領域普遍，隨著在5G 基礎設施和5G 手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下，業(yè)內(nèi)人士預計TVS/ESD 保護器件將大幅度增長。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對于我們來說是一種常見的現(xiàn)象，然而對電子產(chǎn)品而言，ESD 往往是致命的——它可能導致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD 防護一直以來都是工程師們的工作重點。對于剛開始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關知識的培訓，足見ESD 防護的地位與重要性。ESD保護元件應具有低泄漏和低電容特性，不會降低電路功能；

為了防止由于ESD侵入被觸摸的電子設備而導致的產(chǎn)品或系統(tǒng)破壞，便需要安裝抑制或消除ESD的對應元器件。在高速電量傳輸過程中易產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流及電磁場。選擇ESD器件應該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。常見的ESD保護器件主要有壓敏電阻、硅材料的TVS二極管以及陶瓷材料的A-TVS等。ESD保護器件在一些高速電路接口上已經(jīng)變得不再是一個簡單的ESD保護器件，還包含了雜散的寄生參數(shù)，以及安裝到PCB板上時的寄生電感等參數(shù)。ESD保護元件使電流流過保護元件而非敏感元件，同時維持敏感元件上的低電壓；大型ESD保護器件現(xiàn)貨供應

ESD保護器件高集成度、小體積；大型ESD保護器件現(xiàn)貨供應

ESD TVS器件采用的技術：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件為消弧器件，且總是雙向保護器件。它們的電容很低，對高速應用具有吸引力。但是它們的短處是導通電壓高、導通阻抗性能相對較差，遭受多次應力時易于性能下降。TVS二極管，如今大多數(shù)的二極管都是采用硅制造的固態(tài)器件。它們?yōu)殡p端器件，很容易讓一個方向上的電流流過，但在相反方向上，它們呈現(xiàn)高阻抗，直到兩端電壓達到擊穿電壓。二極管本質(zhì)上為單向器件，保護方式為電壓箝位。二極管的特性取決于N區(qū)與P區(qū)的摻雜程度，這兩個區(qū)離結點的距離遠近不同。調(diào)節(jié)摻雜程度能構建反向偏置擊穿電壓在幾百伏到單幾伏之間的二極管。設計有明確定義的反向偏置擊穿電壓的二極管，通常稱作齊納二極管。大型ESD保護器件現(xiàn)貨供應

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