芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關(guān)鍵，可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點(diǎn)。高分辨率微光顯微鏡探測器

我司專注于微弱信號處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣，無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。

性價比優(yōu)勢直擊痛點(diǎn)：相比進(jìn)口設(shè)備，采購成本降低 30% 以上，且本土化售后團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 24 小時響應(yīng)、48 小時現(xiàn)場維護(hù)，備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi)，徹底擺脫進(jìn)口設(shè)備 “維護(hù)慢、成本高” 的困境。用國產(chǎn)微光顯微鏡，為芯片質(zhì)量把關(guān)，讓失效分析更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可控！ 直銷微光顯微鏡市場價分析低阻抗短路時，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點(diǎn)。

半導(dǎo)體企業(yè)購入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點(diǎn) —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計(jì)缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會使得MOS管的漏結(jié)存在一個強(qiáng)電場，該電場會對載流子進(jìn)行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復(fù)合，產(chǎn)生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進(jìn)入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進(jìn)入襯底，產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點(diǎn)，同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強(qiáng)場，也能觀察到亮點(diǎn)。針對納米級半導(dǎo)體器件，搭配超高倍物鏡，能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光，推動納米電子學(xué)研究。

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進(jìn)行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)（如微米級甚至納米級缺陷）。在實(shí)際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機(jī)理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件與集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了關(guān)鍵的應(yīng)用。微光顯微鏡的便攜款桌面級設(shè)計(jì)，方便在生產(chǎn)線現(xiàn)場快速檢測，及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問題，減少不合格品流出。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡備件

我司微光顯微鏡可檢測 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點(diǎn)，為質(zhì)量控制與維修提供高效準(zhǔn)確方法。高分辨率微光顯微鏡探測器

RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備，其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構(gòu)建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號，實(shí)現(xiàn)納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐，助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控，RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能，為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案，是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測利器。高分辨率微光顯微鏡探測器