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微光顯微鏡方案

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-22

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測(cè)設(shè)備研發(fā)制造企業(yè),其本地化服務(wù)目前以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū),依托總部蘇州的地理優(yōu)勢(shì),對(duì)上海、江蘇、浙江等周邊省市實(shí)現(xiàn)高效服務(wù)。無(wú)論是設(shè)備的安裝調(diào)試,還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢,都能在短時(shí)間內(nèi)響應(yīng),例如在蘇州本地,接到客戶需求后,普遍可在數(shù)小時(shí)內(nèi)安排技術(shù)人員上門服務(wù)。在全國(guó)范圍內(nèi),致晟光電已通過(guò)建立銷售服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商合作等方式,保障本地化服務(wù)的覆蓋。
晶體管和二極管短路或漏電時(shí),微光顯微鏡依其光子信號(hào)判斷故障類型與位置,利于排查電路故障。微光顯微鏡方案

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對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過(guò)程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過(guò)剖片分析深入探究?jī)?nèi)核。

然而,受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí),常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無(wú)法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的疑問(wèn)或補(bǔ)充分析方向。 顯微微光顯微鏡對(duì)比紅外成像可以不破壞芯片封裝,嘗試定位未開(kāi)封芯片失效點(diǎn)并區(qū)分其在封裝還是 Die 內(nèi)部,利于評(píng)估芯片質(zhì)量。



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微光顯微鏡(EMMI)無(wú)法探測(cè)到亮點(diǎn)的情況:

一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯(lián)短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導(dǎo)電通路(SiliconConductingPath)等。


二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)(BuriedJunctions)及金屬下方的漏電點(diǎn)(LeakageSitesunderMetal)。此類情況可采用背面觀測(cè)模式(backsidemode),但該模式*能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光,且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色,其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言,EMMI技術(shù)通過(guò)光子檢測(cè)手段來(lái)精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn),而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來(lái)識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)(即PEM系統(tǒng))中,其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷,如漏電流方面表現(xiàn)出色,而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如,EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開(kāi)封芯片中的失效點(diǎn),而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗(<10 ohm)短路問(wèn)題。我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù),整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng),價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便,性價(jià)比高,居行業(yè)先頭。

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RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測(cè)量身打造的高精度檢測(cè)設(shè)備,其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測(cè)器與高分辨率顯微物鏡 ,構(gòu)建起超高靈敏度檢測(cè)體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號(hào),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的可視化成像。通過(guò)超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐,助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案,是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測(cè)利器。微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子,結(jié)合光學(xué)原理和算法可預(yù)估失效點(diǎn)深度,為失效分析和修復(fù)提供參考。檢測(cè)用微光顯微鏡儀器

微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭,可將微小缺陷放大至清晰可見(jiàn),讓檢測(cè)更易觀察分析,提升檢測(cè)的準(zhǔn)確度。微光顯微鏡方案

致晟光電將熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備,在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。對(duì)于分開(kāi)的兩臺(tái)設(shè)備,企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識(shí),培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作,還包括各自的故障診斷邏輯與校準(zhǔn)流程,往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓(xùn)才能確保人員熟練操作,期間產(chǎn)生的培訓(xùn)費(fèi)用、時(shí)間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護(hù)體系,維護(hù)人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護(hù)邏輯與操作規(guī)范,無(wú)需在兩套差異的設(shè)備間切換學(xué)習(xí),培訓(xùn)周期可縮短近一半,大幅降低了培訓(xùn)方面的人力與資金投入。
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