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顯微微光顯微鏡成像儀

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-23

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測(cè)領(lǐng)域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢(shì),在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測(cè),但在邏輯與適用場(chǎng)景上的差異,使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測(cè)組合。從技術(shù)原理來(lái)看,兩者的 “探測(cè)語(yǔ)言” 截然不同。

微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號(hào) —— 這些信號(hào)可能來(lái)自 PN 結(jié)漏電時(shí)的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長(zhǎng)多集中在可見(jiàn)光至近紅外范圍。


在航空航天芯片檢測(cè)中,它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷,為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。顯微微光顯微鏡成像儀

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致晟光電作為專(zhuān)注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應(yīng)用的技術(shù)團(tuán)隊(duì),設(shè)備在微小目標(biāo)定位、熱分布成像等場(chǎng)景中具備高分辨率優(yōu)勢(shì),可廣泛應(yīng)用于芯片、PCB板、顯示屏等消費(fèi)電子元器件的檢測(cè)環(huán)節(jié),為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數(shù)據(jù)。

為讓您更直觀了解設(shè)備的定位精度與適用性,我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)貴單位參與樣品測(cè)試合作:若您有需要進(jìn)行微光定位(如細(xì)微結(jié)構(gòu)位置標(biāo)記、表面瑕疵定位)或熱紅外定位(如元器件發(fā)熱點(diǎn)分布、溫度梯度成像)的樣品,可郵寄至我方實(shí)驗(yàn)室。我們將提供專(zhuān)業(yè)檢測(cè)服務(wù),輸出包含圖像、坐標(biāo)、數(shù)值等在內(nèi)的定位數(shù)據(jù)報(bào)告(注:報(bào)告呈現(xiàn)客觀檢測(cè)結(jié)果,不做定性或定量結(jié)論判斷)。測(cè)試過(guò)程中,我們會(huì)根據(jù)您的需求調(diào)整檢測(cè)參數(shù),確保定位數(shù)據(jù)貼合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。若您對(duì)設(shè)備的定位效果認(rèn)可,可進(jìn)一步洽談設(shè)備采購(gòu)或長(zhǎng)期檢測(cè)服務(wù)合作。 什么是微光顯微鏡品牌排行微光顯微鏡的便攜款桌面級(jí)設(shè)計(jì),方便在生產(chǎn)線現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè),及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問(wèn)題,減少不合格品流出。

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對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過(guò)程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過(guò)剖片分析深入探究?jī)?nèi)核。

然而,受限于專(zhuān)業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí),常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無(wú)法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的疑問(wèn)或補(bǔ)充分析方向。



光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng),合稱(chēng)為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。


二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ),能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于,即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”,其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。


通過(guò)調(diào)節(jié)探測(cè)靈敏度,它能適配不同漏電流大小的檢測(cè)需求,靈活應(yīng)對(duì)多樣的檢測(cè)場(chǎng)景。

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定位短路故障點(diǎn)短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。

當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí),短路區(qū)域會(huì)形成異常電流通路,引發(fā)局部溫度驟升,并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI(微光顯微鏡)憑借其超高靈敏度,能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號(hào),再通過(guò)對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析,可實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。

以一款高性能微處理器芯片為例,其在測(cè)試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問(wèn)題,技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過(guò)EMMI對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描檢測(cè),在極短時(shí)間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號(hào)。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計(jì)圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析,終鎖定故障點(diǎn)為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發(fā)生的短路。這一定位為后續(xù)的故障修復(fù)和工藝改進(jìn)提供了直接依據(jù)。 支持離線數(shù)據(jù)分析,可將檢測(cè)圖像導(dǎo)出后進(jìn)行深入處理,不占用設(shè)備的實(shí)時(shí)檢測(cè)時(shí)間。制冷微光顯微鏡內(nèi)容

微光顯微鏡支持寬光譜探測(cè)模式,探測(cè)范圍從紫外延伸至近紅外,能滿(mǎn)足不同材料的光子檢測(cè),適用范圍更廣。顯微微光顯微鏡成像儀

半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí),電子會(huì)彈射出一個(gè)光子,該光子的能量為1.12eV,根據(jù)波粒二象性原理,該光子的波長(zhǎng)為1100nm,屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點(diǎn)的原因之一:載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點(diǎn)。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象,(體寄生三極管導(dǎo)通)也會(huì)觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點(diǎn)。顯微微光顯微鏡成像儀

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