例如，當(dāng)某批芯片在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時(shí)，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過(guò)聚焦離子束（FIB）切割進(jìn)行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f(shuō)，我們的設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)失效分析中定位失效點(diǎn)的工具，其的探測(cè)能力和高效的分析效率，為后續(xù)問(wèn)題的解決奠定了不可或缺的基礎(chǔ)。

在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的隱患，避免資源的無(wú)效投入；在量產(chǎn)過(guò)程中，它能及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭(zhēng)取寶貴時(shí)間，降低損失；在產(chǎn)品應(yīng)用端，它能為可靠性問(wèn)題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)口碑。無(wú)論是先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測(cè)，我們的設(shè)備都以其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為失效分析流程中無(wú)法替代的關(guān)鍵一環(huán)，為半導(dǎo)體企業(yè)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級(jí)提供有力支撐。 但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時(shí)，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測(cè)到，借助近紅外光進(jìn)行檢測(cè)。。自銷(xiāo)微光顯微鏡內(nèi)容

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場(chǎng)景，我們還提供Thermal&EMMI的個(gè)性化定制服務(wù)。無(wú)論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專(zhuān)屬設(shè)計(jì)與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和成熟的生產(chǎn)體系，定制項(xiàng)目通常在 2-3 個(gè)月內(nèi)即可完成交付，在保證定制靈活性的同時(shí)，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時(shí)且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù)，期待與您攜手共進(jìn)，共創(chuàng)佳績(jī)。什么是微光顯微鏡探測(cè)器微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關(guān)鍵，可檢測(cè)漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點(diǎn)。

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴(lài)于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度，并且其探測(cè)波長(zhǎng)范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測(cè)波長(zhǎng)范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長(zhǎng)檢測(cè)能力，從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢(shì)使其在多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。在半導(dǎo)體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測(cè)到更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，這對(duì)于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。

微光顯微鏡（EMMI）無(wú)法探測(cè)到亮點(diǎn)的情況:

一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點(diǎn)（LeakageSitesunderMetal）。此類(lèi)情況可采用背面觀測(cè)模式（backsidemode），但該模式*能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 靜電放電破壞半導(dǎo)體器件時(shí)，微光顯微鏡偵測(cè)其光子可定位故障點(diǎn)，助分析原因程度。

可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理?yè)p傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動(dòng)態(tài) CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態(tài)）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 漏電結(jié)和接觸毛刺會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，這些亮點(diǎn)產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。什么是微光顯微鏡規(guī)格尺寸

針對(duì)氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，它能適應(yīng)其寬波長(zhǎng)探測(cè)需求，助力寬禁帶器件的研發(fā)與應(yīng)用。自銷(xiāo)微光顯微鏡內(nèi)容

同時(shí)，我們誠(chéng)摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行深入交流。在這里，我們的專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎(chǔ)功能到高級(jí)應(yīng)用，一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對(duì)您在設(shè)備選型、使用場(chǎng)景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問(wèn)，我們也會(huì)給予細(xì)致入微的解答，讓您對(duì)失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢(shì)與適用范圍。

這種面對(duì)面的深度溝通，旨在讓合作過(guò)程更加透明，讓您對(duì)我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心，合作也更顯安心。 自銷(xiāo)微光顯微鏡內(nèi)容