在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測帶來了前所未有的高效解決方案。電激勵的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時(shí)，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特性會與正常區(qū)域產(chǎn)生明顯差異，進(jìn)而導(dǎo)致溫度分布出現(xiàn)異常。鎖相熱成像系統(tǒng)憑借其高靈敏度的紅外探測能力和先進(jìn)的鎖相處理技術(shù)，能夠捕捉這些細(xì)微的溫度變化，即使是微米級的缺陷也能被清晰識別。與傳統(tǒng)的探針檢測或破壞性檢測方法相比，這種非接觸式的檢測方式無需拆解元件，從根本上避免了對元件的損傷，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)大批量元件的快速檢測。例如，在手機(jī)芯片的批量質(zhì)檢中，該系統(tǒng)可在幾分鐘內(nèi)完成數(shù)百片芯片的檢測，提升了電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)檢環(huán)節(jié)的效率和產(chǎn)品的可靠性。檢測速度快，但鎖相熱紅外電激勵成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對深層缺陷檢測效果更好。長波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。非破壞性分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)圖像分析鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵下的缺陷無所遁形。

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無需光屏蔽箱。

電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的射頻元件檢測中應(yīng)用重要，為射頻元件的高性能生產(chǎn)提供了保障。射頻元件如射頻放大器、濾波器、天線等，廣泛應(yīng)用于通信、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域，其性能直接影響電子系統(tǒng)的信號傳輸質(zhì)量。射頻元件的阻抗不匹配、內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷、焊接不良等問題，會導(dǎo)致信號反射、衰減增大，甚至產(chǎn)生諧波干擾。通過對射頻元件施加特定頻率的電激勵，使其工作在接近實(shí)際應(yīng)用的射頻頻段，缺陷處會因能量損耗增加而產(chǎn)生異常熱量。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到元件表面的溫度分布，通過分析溫度場的變化，判斷元件的性能狀況。例如，在檢測射頻濾波器時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因內(nèi)部諧振腔結(jié)構(gòu)缺陷導(dǎo)致的局部高溫區(qū)域，這些區(qū)域會影響濾波器的頻率響應(yīng)特性?；跈z測結(jié)果，企業(yè)可以優(yōu)化射頻元件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝，生產(chǎn)出高性能的射頻元件，保障通信設(shè)備等電子系統(tǒng)的信號質(zhì)量。電激勵作為一種能量輸入方式，能激發(fā)物體內(nèi)部熱分布變化，為鎖相熱成像系統(tǒng)捕捉細(xì)微溫差提供熱源基礎(chǔ)。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達(dá)微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點(diǎn)、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實(shí)時(shí)成像功能可追蹤動態(tài)熱變化，如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實(shí)驗(yàn)；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測提供支持，推動各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。系統(tǒng)的邏輯是通過 “周期性激勵 - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內(nèi)部結(jié)構(gòu)差異轉(zhuǎn)化為熱圖像特征。什么是鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺

電激勵強(qiáng)度可控，保護(hù)鎖相熱成像系統(tǒng)檢測元件。長波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家

電子產(chǎn)業(yè)的電路板老化檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)效果優(yōu)異，為電子設(shè)備的維護(hù)和更換提供了科學(xué)依據(jù)，有效延長了設(shè)備的使用壽命。電路板在長期使用過程中，會因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導(dǎo)致性能下降，可能出現(xiàn)隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設(shè)備正常工作時(shí)可能不會立即顯現(xiàn)，但在負(fù)載變化或環(huán)境溫度波動時(shí)，可能會導(dǎo)致設(shè)備故障。通過對老化的電路板施加適當(dāng)?shù)碾娂?，模擬設(shè)備的工作狀態(tài)，老化缺陷處會因性能參數(shù)的變化而產(chǎn)生與正常區(qū)域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到這些溫度變化，并通過分析溫度場的分布特征，評估電路板的老化程度和潛在故障風(fēng)險(xiǎn)。例如，在檢測工業(yè)控制設(shè)備的電路板時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)老化電容周圍的溫度明顯高于正常區(qū)域，提示需要及時(shí)更換電容，避免設(shè)備在運(yùn)行過程中突然故障。長波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家