先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區(qū)域。LIT是一種動態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進行，無需光屏蔽箱。非接觸式檢測在不破壞樣品的情況下實現(xiàn)成像，適用于各種封裝狀態(tài)的樣品，包括未開封的芯片和PCBA。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)emmi

電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產業(yè)的電子漿料檢測中有用武之地，為電子漿料的質量控制提供了重要手段，確保印刷線路的性能。電子漿料是用于印刷電子線路、電極等的關鍵材料，其導電性、均勻性和附著力直接影響印刷線路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團聚、成分不均、氣泡等缺陷，會導致印刷線路的電阻增大、導電性能下降，甚至出現(xiàn)線路斷路。通過對印刷有電子漿料的基板施加電激勵，電流會沿著漿料線路流動，缺陷處由于電阻異常，會產生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到這些溫度差異，并通過分析溫度場的分布，評估電子漿料的質量。例如，在檢測太陽能電池板的銀漿電極時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會影響電池板的發(fā)電效率。檢測結果為電子漿料生產企業(yè)提供了質量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化漿料配方和生產工藝，提升電子產業(yè)相關產品的生產質量。低溫熱鎖相紅外熱成像系統(tǒng)工作原理電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)結合，實現(xiàn)無損檢測。

電子產業(yè)的存儲器芯片檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲安全提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設備中用于存儲數(shù)據(jù)的關鍵部件，其存儲單元的質量直接決定了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會導致數(shù)據(jù)丟失、讀寫錯誤等問題。通過對存儲器芯片施加電激勵，進行讀寫操作，缺陷存儲單元會因電荷存儲異常而產生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產過程中篩選出合格的存儲器芯片，提高產品的合格率。例如，在檢測固態(tài)硬盤中的 NAND Flash 芯片時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲單元區(qū)域，這些區(qū)域在讀寫操作時溫度明顯升高。通過標記這些壞塊并進行屏蔽處理，能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲的安全，推動電子產業(yè)存儲領域的健康發(fā)展。

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的RTTLIT （實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)），該技術的溫度靈敏度極高，部分型號甚至可達 0.0001℃，功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化，哪怕是芯片內部極為微小的漏電或局部發(fā)熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領域中具有無可比擬的優(yōu)勢，能夠幫助工程師快速、準確地定位故障點，較大程度上的縮短了產品研發(fā)和故障排查的時間。鎖相熱成像系統(tǒng)借電激勵，捕捉細微溫度變化辨故障。

電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產業(yè)的射頻元件檢測中應用重要，為射頻元件的高性能生產提供了保障。射頻元件如射頻放大器、濾波器、天線等，廣泛應用于通信、雷達、導航等領域，其性能直接影響電子系統(tǒng)的信號傳輸質量。射頻元件的阻抗不匹配、內部結構缺陷、焊接不良等問題，會導致信號反射、衰減增大，甚至產生諧波干擾。通過對射頻元件施加特定頻率的電激勵，使其工作在接近實際應用的射頻頻段，缺陷處會因能量損耗增加而產生異常熱量。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到元件表面的溫度分布，通過分析溫度場的變化，判斷元件的性能狀況。例如，在檢測射頻濾波器時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因內部諧振腔結構缺陷導致的局部高溫區(qū)域，這些區(qū)域會影響濾波器的頻率響應特性?；跈z測結果，企業(yè)可以優(yōu)化射頻元件的設計和生產工藝，生產出高性能的射頻元件，保障通信設備等電子系統(tǒng)的信號質量。高靈敏度紅外相機（ mK 級），需滿足高幀率（至少為激勵頻率的 2 倍，遵循采樣定理）以捕捉周期性溫度變化。IC鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像

快速定位相比其他檢測技術，鎖相熱成像技術能夠在短時間內快速定位熱點，縮短失效分析時間。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)emmi

在半導體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在，芯片集成度不斷提升，器件結構日益復雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測設備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設備（搭載自主研發(fā)的 RTTLIT （實時瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)），為半導體的失效分析提供了全新的技術范式。

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