鎖相熱成像系統(tǒng)憑借電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的芯片封裝檢測中表現(xiàn)出的性能，成為芯片制造過程中不可或缺的質(zhì)量控制手段。芯片封裝是保護(hù)芯片、實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在封裝過程中，可能會(huì)出現(xiàn)焊球空洞、引線鍵合不良、封裝體開裂等多種缺陷。這些缺陷會(huì)嚴(yán)重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導(dǎo)致芯片在工作過程中因過熱而失效。通過對芯片施加特定的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱量，缺陷處由于熱傳導(dǎo)受阻，會(huì)形成局部高溫區(qū)域。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)捕捉芯片表面的溫度場分布，并通過分析溫度場的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態(tài)。例如，在檢測 BGA 封裝芯片時(shí)，系統(tǒng)能準(zhǔn)確識(shí)別出焊球中的空洞，即使空洞體積占焊球體積的 5%，也能被定位。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助芯片制造企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)封裝過程中的問題，有效降低了產(chǎn)品的不良率，提升了芯片產(chǎn)品的質(zhì)量。在復(fù)合材料檢測中，電激勵(lì)能使缺陷區(qū)域產(chǎn)生獨(dú)特?zé)犴憫?yīng)，鎖相熱成像系統(tǒng)可將這種響應(yīng)轉(zhuǎn)化為清晰的缺陷圖像。IC鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測一批失效芯片時(shí)，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長期使用中突然失效。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價(jià)比電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保護(hù)鎖相熱成像系統(tǒng)檢測元件。

電子產(chǎn)業(yè)的電路板老化檢測中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)效果優(yōu)異，為電子設(shè)備的維護(hù)和更換提供了科學(xué)依據(jù)，有效延長了設(shè)備的使用壽命。電路板在長期使用過程中，會(huì)因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導(dǎo)致性能下降，可能出現(xiàn)隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設(shè)備正常工作時(shí)可能不會(huì)立即顯現(xiàn)，但在負(fù)載變化或環(huán)境溫度波動(dòng)時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障。通過對老化的電路板施加適當(dāng)?shù)碾娂?lì)，模擬設(shè)備的工作狀態(tài)，老化缺陷處會(huì)因性能參數(shù)的變化而產(chǎn)生與正常區(qū)域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測到這些溫度變化，并通過分析溫度場的分布特征，評估電路板的老化程度和潛在故障風(fēng)險(xiǎn)。例如，在檢測工業(yè)控制設(shè)備的電路板時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)老化電容周圍的溫度明顯高于正常區(qū)域，提示需要及時(shí)更換電容，避免設(shè)備在運(yùn)行過程中突然故障。

電激勵(lì)參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控對于鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)檢測中的準(zhǔn)確性至關(guān)重要，是保障檢測結(jié)果可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在電子元件檢測過程中，電激勵(lì)的電流大小、頻率穩(wěn)定性等參數(shù)可能會(huì)受到電網(wǎng)波動(dòng)、環(huán)境溫度變化等因素的影響而發(fā)生微小波動(dòng)，這些波動(dòng)看似細(xì)微，卻可能對檢測結(jié)果產(chǎn)生干擾，尤其是對于高精度電子元件的檢測。通過實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)對電激勵(lì)參數(shù)進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測，并將監(jiān)測數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋給控制系統(tǒng)，可及時(shí)調(diào)整激勵(lì)源的輸出，確保電流、頻率等參數(shù)始終穩(wěn)定在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。例如，在檢測高精度 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換）芯片時(shí)，其內(nèi)部電路對電激勵(lì)的變化極為敏感，即使是 0.1% 的電流波動(dòng)，也可能導(dǎo)致芯片內(nèi)部溫度分布出現(xiàn)異常，干擾對真實(shí)缺陷的判斷。而實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)能將參數(shù)波動(dòng)控制在 0.01% 以內(nèi)，有效保障了檢測的準(zhǔn)確性，為電子元件的質(zhì)量檢測提供了穩(wěn)定可靠的技術(shù)環(huán)境。電激勵(lì)作為一種能量輸入方式，能激發(fā)物體內(nèi)部熱分布變化，為鎖相熱成像系統(tǒng)捕捉細(xì)微溫差提供熱源基礎(chǔ)。

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。三維可視化通過相位信息實(shí)現(xiàn)微米級深度定位功能，能夠無盲區(qū)再現(xiàn)被測物內(nèi)部構(gòu)造。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10

利用周期性調(diào)制的熱激勵(lì)源對待測物體加熱，物體內(nèi)部缺陷會(huì)導(dǎo)致表面溫度分布產(chǎn)生周期性變化。IC鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀

失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟“導(dǎo)航系統(tǒng)”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號是首要任務(wù)，不同型號的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時(shí)，了解芯片的應(yīng)用場景也不可或缺，是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，不同的應(yīng)用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關(guān)鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計(jì)也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設(shè)計(jì)缺陷或制程問題；如果只是個(gè)別芯片失效，那么應(yīng)用不當(dāng)?shù)目赡苄韵鄬^大。
IC鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀