德國 Polos 光刻機系列以其緊湊的設(shè)計，在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對于研究實驗室，尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機構(gòu)來說，設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機占用空間小的特點，使其能夠輕松融入各類實驗室環(huán)境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作，低成本的優(yōu)勢降低了科研投入門檻。在小型實驗室中，科研人員使用 Polos 光刻機，在微流體、電子學等領(lǐng)域開展研究，成功取得多項成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā)，Polos 光刻機證明了小空間也能蘊藏大能量，為科研創(chuàng)新提供有力支持。未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。廣東德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。光刻機光源波長405微米德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設(shè)備殘值率達 60%。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動，在智能穿戴設(shè)備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設(shè)計（體積 < 1mm3）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點，使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。雙光子聚合擴展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機器人制造。

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時，推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。光刻機光源波長405微米

Polos-μPrinter 入選《半導體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。廣東德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光，在微流體、電子學和納 / 微機械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細胞培養(yǎng)等研究。在電子學方面，可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。廣東德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模