Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開(kāi)環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開(kāi)發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶(hù)還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。低成本科研普惠：桌面化設(shè)計(jì)減少投入，無(wú)掩膜工藝降低中小型實(shí)驗(yàn)室門(mén)檻。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

針對(duì)碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠(chǎng)商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開(kāi)關(guān)損耗減少 20%，推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江德國(guó)BEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。

德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過(guò)程中，Polos 光刻機(jī)可precise刻畫(huà)出納米級(jí)別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)，成功開(kāi)發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運(yùn)算速度。而且，該光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案，滿(mǎn)足不同電子元件的多樣化設(shè)計(jì)需求。無(wú)論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機(jī)都能以高精度、低成本的優(yōu)勢(shì)，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動(dòng)電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場(chǎng)中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。固態(tài)電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ω?cm2，電池循環(huán)壽命提升 3 倍。

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。緊湊桌面設(shè)計(jì)：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開(kāi)發(fā)。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

一家專(zhuān)注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國(guó) Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長(zhǎng)和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過(guò)該光刻機(jī)制造的支架，在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長(zhǎng)引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸