德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術普及。PSP光刻機分辨率1.5微米

針對植入式醫(yī)療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。廣東POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米環(huán)保低能耗設計：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設備降低30%，符合綠色實驗室標準。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉(zhuǎn)化性，助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。雙光子聚合擴展：結(jié)合Nanoscribe技術實現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機器人制造。

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域，全球布局 6 大技術中心，服務 500 + 科研機構(gòu)。廣東POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度。PSP光刻機分辨率1.5微米

在科研領域，設備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光，在微流體、電子學和納 / 微機械系統(tǒng)等領域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復雜的微通道網(wǎng)絡，助力藥物傳輸、細胞培養(yǎng)等研究。在電子學方面，可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。PSP光刻機分辨率1.5微米