熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物，二者是包含與被包含的關(guān)系。紅外顯微鏡是個(gè)廣義概念，涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進(jìn)行分析的設(shè)備，依波長分近、中、遠(yuǎn)紅外等，通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學(xué)成分，比如識別材料中的官能團(tuán)，應(yīng)用于材料科學(xué)、生物學(xué)等領(lǐng)域。而熱紅外顯微鏡是其分支，專注7-14微米的熱紅外波段，無需外部光源，直接探測樣品自身的熱輻射，依據(jù)黑體輻射定律生成溫度分布圖像，主要用于研究溫度分布與熱特性，像定位電子芯片的熱點(diǎn)、分析復(fù)合材料熱傳導(dǎo)均勻性等。前者側(cè)重成分分析，后者聚焦熱特性研究。半導(dǎo)體芯片內(nèi)部缺陷定位是工藝優(yōu)化與失效分析的關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。非制冷熱紅外顯微鏡功能

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術(shù)，作為半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域的關(guān)鍵手段，通過捕捉器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱輻射，實(shí)現(xiàn)失效點(diǎn)的精細(xì)定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測，成為解析半導(dǎo)體故障的 “火眼金睛”。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷升級，器件正朝著超精細(xì)圖案制程與低供電電壓方向快速演進(jìn)：線寬進(jìn)入納米級，供電電壓降至 1V 以下。這使得失效點(diǎn)（如微小短路、漏電流區(qū)域）產(chǎn)生的熱量急劇減少，其輻射的紅外線信號強(qiáng)度降至傳統(tǒng)檢測閾值邊緣，疊加芯片復(fù)雜結(jié)構(gòu)的背景輻射干擾，信號提取難度呈指數(shù)級上升。
IC熱紅外顯微鏡選購指南熱紅外顯微鏡可實(shí)時(shí)監(jiān)測電子設(shè)備運(yùn)行中的熱變化，預(yù)防過熱故障 。

在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內(nèi)部電路。但這種方法會破壞內(nèi)部電路和引線，導(dǎo)致無法進(jìn)行電動態(tài)分析，適用于需觀察內(nèi)部電路靜態(tài)結(jié)構(gòu)的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優(yōu)點(diǎn)是開封過程不會損壞內(nèi)部電路和引線，開封后仍可進(jìn)行電動態(tài)分析，能為失效分析提供更豐富的動態(tài)數(shù)據(jù)。自動法則是利用硫酸噴射實(shí)現(xiàn)局部去除，自動化操作可提高效率和精度，不過同樣屬于破壞性處理，會對樣品造成一定程度的損傷。

半導(dǎo)體制程已逐步進(jìn)入 3 納米及更先進(jìn)階段，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日趨密集，供電電壓也持續(xù)降低，這使得微觀熱行為對器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎(chǔ)上，經(jīng)迭代進(jìn)化而成的精密工具。在先進(jìn)制程研發(fā)中，它在應(yīng)對熱難題方面能提供一定支持，在芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、失效排查以及性能優(yōu)化等環(huán)節(jié)，都能發(fā)揮相應(yīng)的作用。其通過不斷優(yōu)化的技術(shù)，適應(yīng)了先進(jìn)制程下對微觀熱信號檢測的需求，為相關(guān)研發(fā)工作提供了有助于分析和解決問題的熱分布信息，助力研發(fā)人員更好地推進(jìn)芯片相關(guān)的研究與改進(jìn)工作。
熱紅外顯微鏡對集成電路進(jìn)行熱檢測，排查內(nèi)部隱藏故障 。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術(shù)不僅可實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的故障精細(xì)定位，更在性能評估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領(lǐng)域展現(xiàn)獨(dú)特價(jià)值。通過高分辨率熱成像捕捉設(shè)備熱點(diǎn)分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導(dǎo)特性，以此為依據(jù)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效提升設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與使用壽命。此外，該技術(shù)可實(shí)時(shí)監(jiān)測線路功耗分布與異常發(fā)熱區(qū)域，建立動態(tài)熱特征數(shù)據(jù)庫，為線路故障的早期預(yù)警與預(yù)防性維護(hù)提供數(shù)據(jù)支撐，從根本上去降低潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。熱紅外顯微鏡可捕捉物體熱輻射，助力電子元件熱分布與散熱性分析。非制冷熱紅外顯微鏡功能

熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測中，量化評估襯底界面熱阻分布。非制冷熱紅外顯微鏡功能

熱紅外顯微鏡與光學(xué)顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應(yīng)用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業(yè)領(lǐng)域各有側(cè)重。

從工作原理看，光學(xué)顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態(tài)（如結(jié)構(gòu)、顏色、紋理）呈現(xiàn)細(xì)節(jié)，其主要是捕捉 “可見形態(tài)特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射，通過檢測樣品自身發(fā)射的熱量差異生成熱分布圖，本質(zhì)是捕捉 “不可見的熱信號”。

在主要功能上，光學(xué)顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結(jié)構(gòu)缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結(jié)構(gòu)分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析，能識別因電路缺陷、材料熱導(dǎo)差異等產(chǎn)生的溫度異常，即使是納米級的微小熱點(diǎn)（如半導(dǎo)體芯片的漏電區(qū)域）也能精確捕捉，這是光學(xué)顯微鏡無法實(shí)現(xiàn)的。

從適用場景來看，光學(xué)顯微鏡是通用型觀測工具，廣泛應(yīng)用于基礎(chǔ)科研、教學(xué)等領(lǐng)域；而熱紅外顯微鏡更偏向?qū)I(yè)細(xì)分場景，尤其在半導(dǎo)體失效分析中，可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發(fā)的熱異常，在新材料研發(fā)中能分析不同組分的熱傳導(dǎo)特性，為解決 “熱相關(guān)問題” 提供關(guān)鍵依據(jù)。 非制冷熱紅外顯微鏡功能

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