需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù)，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。

1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環(huán)境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復現(xiàn)，區(qū)分設計缺陷、制程問題或應用不當（如過壓、ESD）。

2.電性能驗證使用自動測試設備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復現(xiàn)失效，記錄關鍵參數(shù)（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區(qū)域（如特定功能模塊）。 支持離線數(shù)據(jù)分析，可將檢測圖像導出后進行深入處理，不占用設備的實時檢測時間。顯微微光顯微鏡備件

選擇國產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產(chǎn)業(yè)化應用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構(gòu)建起產(chǎn)學研深度融合的技術研發(fā)體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 國產(chǎn)微光顯微鏡價格氧化層漏電及多晶硅晶須引發(fā)電流異常時，會產(chǎn)生光子，使微光顯微鏡下出現(xiàn)亮點。

半導體企業(yè)購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業(yè)在技術迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉(zhuǎn)化為局部溫度的細微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關的問題。我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定位短路位置，優(yōu)勢獨特。

同時，我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進行深入交流。在這里，我們的專業(yè)技術團隊將為您詳細演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎功能到高級應用，一一講解其中的技術原理與操作技巧。針對您在設備選型、使用場景、技術參數(shù)等方面的疑問，我們也會給予細致入微的解答，讓您對失效分析領域掌握設備優(yōu)勢與適用范圍。

這種面對面的深度溝通，旨在讓合作過程更加透明，讓您對我們的產(chǎn)品與服務更有信心，合作也更顯安心。 處理 ESD 閉鎖效應時，微光顯微鏡檢測光子可判斷其位置和程度，為研究機制、制定防護措施提供支持。IC微光顯微鏡聯(lián)系人

半導體失效分析中，微光顯微鏡可偵測失效器件光子，定位如 P-N 接面漏電等故障點，助力改進工藝、提升質(zhì)量。顯微微光顯微鏡備件

適用場景的分野，進一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產(chǎn)檢測中，微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查，助力提升產(chǎn)品良率，降低批量報廢風險；而在功率器件、車規(guī)芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監(jiān)測，成為驗證產(chǎn)品穩(wěn)定性的關鍵環(huán)節(jié)。實際檢測中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進一步分析該缺陷是否引發(fā)異常發(fā)熱，形成 “光 - 熱” 聯(lián)動的全維度分析，為企業(yè)提供更佳的故障診斷依據(jù)。顯微微光顯微鏡備件