我司專注于微弱信號(hào)處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用,憑借深厚的技術(shù)積累,已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求,軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣,無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。
性價(jià)比優(yōu)勢直擊痛點(diǎn):相比進(jìn)口設(shè)備,采購成本降低 30% 以上,且本土化售后團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 24 小時(shí)響應(yīng)、48 小時(shí)現(xiàn)場維護(hù),備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi),徹底擺脫進(jìn)口設(shè)備 “維護(hù)慢、成本高” 的困境。用國產(chǎn)微光顯微鏡,為芯片質(zhì)量把關(guān),讓失效分析更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可控! 其內(nèi)置的圖像分析軟件,可測量亮點(diǎn)尺寸與亮度,為量化評(píng)估缺陷嚴(yán)重程度提供數(shù)據(jù)。直銷微光顯微鏡運(yùn)動(dòng)
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點(diǎn)的情況:
一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯(lián)短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導(dǎo)電通路(SiliconConductingPath)等。
二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)(BuriedJunctions)及金屬下方的漏電點(diǎn)(LeakageSitesunderMetal)。此類情況可采用背面觀測模式(backsidemode),但該模式*能探測近紅外波段的發(fā)光,且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 高分辨率微光顯微鏡選購指南我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用,性能佳,廣受贊譽(yù)。
為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解,我們大力支持現(xiàn)場驗(yàn)貨。您可以親臨我們的實(shí)驗(yàn)室,近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié),親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測,我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前,讓您在采購前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸,消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道:“之前采購設(shè)備總擔(dān)心實(shí)際性能和描述有差距,在致晟光電現(xiàn)場驗(yàn)貨時(shí),工作人員耐心陪同我們測試,設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期,這下采購心里踏實(shí)多了。”
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現(xiàn)貨儲(chǔ)備,設(shè)備及相關(guān)配件一應(yīng)俱全,能夠快速響應(yīng)不同行業(yè)、不同規(guī)??蛻舻牟少徯枨?。無論是緊急補(bǔ)購的小型訂單,還是批量采購的大型項(xiàng)目,都能憑借充足的貨源實(shí)現(xiàn)高效交付,讓您無需為設(shè)備短缺而擔(dān)憂,確保生產(chǎn)計(jì)劃或項(xiàng)目推進(jìn)不受影響。
為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解,我們大力支持現(xiàn)場驗(yàn)貨。您可以親臨我們的倉庫或展示區(qū),近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié),親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測,我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前,讓您在采購前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸,消除后顧之憂。 我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù),整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng),價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便,性價(jià)比高,居行業(yè)先頭。
在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時(shí),設(shè)備即刻啟動(dòng)檢測模式 —— 此時(shí)漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會(huì)釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號(hào)。這種檢測方式的在于,通過熱成像技術(shù)將漏電點(diǎn)的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖,再與電路版圖進(jìn)行疊加分析,可實(shí)現(xiàn)漏電點(diǎn)的微米級(jí)精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段,微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測,既避免了對(duì)芯片的二次損傷,又能在不干擾正常電路工作的前提下,捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號(hào)。我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子,快速定位短路位置,優(yōu)勢獨(dú)特。廠家微光顯微鏡
與原子力顯微鏡聯(lián)用時(shí),微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發(fā)光信息,便于關(guān)聯(lián)材料的結(jié)構(gòu)與電氣缺陷。直銷微光顯微鏡運(yùn)動(dòng)
需要失效分析檢測樣品,我們一般會(huì)在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗(yàn)證工作,能夠?yàn)檎麄€(gè)失效分析過程找準(zhǔn)方向、提供依據(jù),從而更高效、準(zhǔn)確地找出芯片失效的原因。
1.失效背景調(diào)查收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環(huán)境(溫度、濕度、電壓)等。確認(rèn)失效是否可復(fù)現(xiàn),區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷、制程問題或應(yīng)用不當(dāng)(如過壓、ESD)。
2.電性能驗(yàn)證使用自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)或探針臺(tái)(ProbeStation)復(fù)現(xiàn)失效,記錄關(guān)鍵參數(shù)(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對(duì)比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區(qū)域(如特定功能模塊)。 直銷微光顯微鏡運(yùn)動(dòng)